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深圳市凌丰发微电子有限公司
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产品信息
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
Id时的Vgs(th)（）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W
安装类型：表面贴装
mos常被用作为开关管，以下用作电池的防反接正是运用了mos管的这个特性。如图所示：当正常连接时，1接电池正极，2接电池负极，由于AO3401内部有有一个从左向右的二极管，使mos管2脚变高电平，满足mos导通条件，正常工作。如果1接电池负极，2接电池正极，不满足导通条件，mos不导通，所以不正常工作
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